Study of Damage Produced in 6H-SiC by He Irradiation
被引量：1
Study of Damage Produced in 6H-SiC by He Irradiation
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1闫书霞,张维连,孙军生.掺锗CZSi中光致发光谱的研究[J].半导体杂志,1996,21(3):18-20.
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2姚育娟,张正选,彭宏论,何宝平,姜景和.NMOS晶体管的退火特性研究[J].原子能科学技术,2000,34(6):481-486. 被引量：1
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3何宝平,龚建成,王桂珍,罗尹虹,姜景和.CMOS器件的等时、等温退火效应[J].Journal of Semiconductors,2004,25(3):302-306. 被引量：2
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4戴培英,李燕山,董友梅.NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性[J].郑州大学学报（自然科学版）,1997,29(3):28-30. 被引量：2
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5何宝平,王桂珍,龚建成,罗尹虹,李永宏.利用等时退火法预估等温退火效应实验研究[J].物理学报,2003,52(9):2239-2243. 被引量：3
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6何宝平,周荷琴,郭红霞,罗尹虹,张凤祁,姚志斌.预估CMOS器件辐照后热退火效应的加速实验方法[J].核电子学与探测技术,2005,25(6):841-845.
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7刘昌龙,侯明东,程松,朱智勇,王志光,孙友梅,金运范,李长林.高剂量Ar离子辐照Si缺陷产生及其退火行为EPR研究[J].高能物理与核物理,1998,22(7):651-657. 被引量：3
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8谢东珠,朱德彰,曹德新,潘浩昌,徐洪杰.硫对注入YSZ单晶的金属铂在退火过程中结晶的影响[J].核技术,1998,21(3):143-146.
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9何宝平,陈伟,张凤祁,姚志斌.CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定[J].原子能科学技术,2007,41(2):232-236. 被引量：2
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10王启元,林兰英,王建华,邓惠芳,谭利文,王俊,蔡田海,郁元桓.单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用[J].Journal of Semiconductors,2002,23(1):43-48. 被引量：1
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