期刊文献+

光MOS固体继电器平行缝焊的工艺研究 被引量:1

下载PDF
导出
摘要 本文介绍了光MOS固体继电器的封装结构和平行缝焊对其零部件的工艺要求,着重介绍了平行缝焊的原理及平行缝焊工艺,对于在平行缝焊中存在的问题也进行了分析并提出了相应的解决措施。
作者 朱煜
出处 《机电元件》 2012年第6期24-28,47,共6页 Electromechanical Components
  • 相关文献

参考文献6

  • 1JamesJ.Licari,LeonardR.Enlow著.朱瑞廉译.混合微电路技术手册[M].北京:电子丁业出版社,2094.1.
  • 2关荣锋,汪学方,甘志银,王志勇,刘胜,张鸿海,黄德修.MEMS封装技术及标准工艺研究[J].半导体技术,2005,30(1):50-54. 被引量:17
  • 3第30卷第1期孙瑞花、邓宏宇著.气密性封装技术.中电13所,20C6.10.25.
  • 4GJB548A-1996.微电子器件试验方法和程序[S].[S].,..
  • 5GJBl515A-2001,固体继电器总规范[S].
  • 6GJB4027A-2006.军用电子元器件破坏性物理分析方法[S].

二级参考文献8

  • 1BRYZEK J. Impact of MEMS technology on society[J].Sensors and Actuators A.1996, 56: 1-9.
  • 2O'NEAL C B, MALSHE A P, SINGH S B, et al.Challenges in the packaging of MEMS[A]. 1999 Int Symp on Advanced Packaging Materials[C]. Georgia,USA ,1999, 41-47.
  • 3RAMESHAM R, GHAFFARIAN R. Challenges in interconnection and packaging of MEMS[A].Proc of the50th Electronic Components and Technology Conf[C]. Las Vegas, Nevada, 2000,666-675.
  • 4CHEN M X, CHEN S H, YI X J, et al. Eutectic bonding on large silicon die using deposited gold-tin multilayer composites[A]. 5th Intl Conf on Electronic Packaging Technology[C]. Shanghai, China,2003,147-150.
  • 5华中科技大学光电子工程系.一种基于金锡共晶的硅/硅键合技术[P].中国专利:申请号-200310111228.X.
  • 6LASKY J B.Wafer bonding for silicon-insulatortechnologies[J].Appl Phy s Lett,1986,48(1):78-80.
  • 7WANG X F, ZHU F L. Study on plasma cleaning andstrength of wire bonding[A]. 2004 Int Conf on theBusiness of Electronic Product Reliability and Liability[C]. 2004, Shanghai, China (accepted).
  • 8SONG X, LIU S. A performance prediction model for apiezoresistive transducer pressure sensor[A]. ICEPT'03, Proceof the 5th Int Conf on Electronic Packaging Technology[C]. 2003, Shanghai, China,30-35.

共引文献28

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部