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富士通半导体2013年计划量产氮化镓功率器件
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摘要
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓（GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2．5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。
出处
《新材料产业》
2012年第12期71-71,共1页
Advanced Materials Industry
关键词
功率器件
半导体
富士通
氮化镓
高输出功率
电源单元
服务器
硅基板
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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