优异光电性能的新型半导体材料问世

以HelgeWeman教授为首的挪威科技大学电子与电讯系的研究团队成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术专利。该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础，在未来半导体产品市场上将极具竞争性。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。