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科锐推出150毫米4H N型碳化硅外延片
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摘要
科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米4HN型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本,并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层,并已开始订购。
出处
《现代显示》
2012年第10期53-53,共1页
Advanced Display
关键词
硅外延片
碳化硅
N型
设备成本
材料市场
最新技术
大直径
工艺线
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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.Chinese Physics B,2007,16(6):1753-1756.
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.大众科技,2002,0(1):102-103.
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.移动通信,2007,31(7):43-44.
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