p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应

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摘要关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进行了实验和理论研究工作,从这些工作中得出,n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,是在样品中形成了反型层结构.

作者邢旭

机构地区东北师范大学物理系

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1990年第8期880-888,共9页 Science in China(Series A)

关键词 n-Ge 热缺陷反常Hall效应

分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学]

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