摘要
本文研究了利用大剂量的N^+和O^+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1990年第9期976-982,共7页
Science in China(Series A)
