单电子在高能电子磁场中的运动轨迹

运用磁场的梯度漂移和曲率漂移理论，讨论了等离子体中单电子受高能电子磁场影响时的运动轨迹，理论分析结果与数值计算结果符合较好，给出了低能电子被高能电子约束的温度和电子数密度条件，即约束能够发生的温度与电子数密度的2／3次方成正比。在较高电子数密度条件下，等离子体中的高能电子可以将其运动路径周围的低能电子约束。