我国在22nm CMOS关键技术先导研发上取得突破

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K／金属栅模块的22nm栅KMOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。