期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

Al-N共掺杂制备ZnO薄膜及其性能研究 被引量：2

下载PDF
导出
摘要 运用真空射频磁控溅射[1]反应系统(JGP500D1)进行薄膜沉积,在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上[2],利用掺杂质量2%Al的ZnO:Al陶瓷靶(纯度为99.99%),采用施主-受主共掺杂的方法,在N2于Ar体积比1:1的混和气体的气氛下,制备了Al-N共掺杂的ZnO薄膜。探讨了掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能影响。
作者 赵文海 李敏君 赵祥敏 张伟
机构地区 牡丹江师范学院 牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室
出处 《科技视界》 2012年第32期23-23,46,共2页 Science & Technology Vision
基金 黑龙江省研究生创新科研项目 项目类别为一般项目 项目编号为YJSCX2012-378HLJ 牡丹江师范学院研究生学术科技创新项目结项成果 项目类别为重点项目 项目编号为yjsxscx2012-15mdjnu 牡丹江师范学院重点创新预研项目 项目编号为Gy201001 牡丹江师范学院科学技术研究项目结项成果 项目编号为Ky201109
关键词 AL-N共掺杂 ZNO薄膜 磁控溅射
分类号 O484.1 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献26

  • 1Ozgur U, Alivov Y I, Liu C, et al. A comprehensive review of ZnO material and devices [ J ]. J Appl Phys, 2005,98 (4) : 041301.
  • 2Tang Z K,Wong G K L, Yu P. Room-lemperature ult raviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystalline thinfilms [ J ]. Appl Phys Lett, 1998,72 ( 25 ) :3270.
  • 3Suvorova N A, Usov I O, Stan L, et al. Strctural and optical properties of ZnO thin films by rf magnetron sputtering woth rapid thermal annealing[ J]. Appl Phys Lett ,2008,92( 14 ) : 141911.
  • 4Huang Y J, Lo K Y, Liu C W , et al. Characterization of the quality of ZnO thin films using reflective second harmonic generation [ J ]. Appl Phys Lett,2009,95 (9) :091904.
  • 5Hwang D,Kang S, Lim J, et al. p-ZnO/n-GaN hetemstructure ZnO light-emitting diodes [ J ]. Appl Phys Lett,2005,86 (22) :222101.
  • 6Liua H F, Chua S J, Hu G X, et al. Annealing effects on electrical and optical properties of ZnO thin-film samples deposited by radio frequeney-magnetron sputtering on GaAs ( 001 ) substrates [J]. JApplPhys, 2007, 102(6),063507.
  • 7Kim K K, Song J H, Jung H J, et al. The grain size effects on the photoluminescence of ZnO / α-Al2O3 grown by radio-frequency magnetron sputtering[ J]. J Appl Phys,2000,87 (7) :3573.
  • 8Vispute R D, Talyansky V, Choopun S, et al. Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrications of hybrid optoelectronic devices[ J]. Appl Phys Lett, 1998,73 (3) :348.
  • 9Fons P, Iwata K, Niki S, et al. Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3 [ J ]. J Cryst Growth, 1999,201 - 202 (3) : 627 - 632.
  • 10Zhao J, Hu L Z, Wang Z Y, et al. High-quality ZnO thin films prepared by low temperature oxidation of metallic Zn [ J ]. Appl Surf Sci,2004,229( 1 -4) :311 -315.

共引文献10

同被引文献9

引证文献2

二级引证文献2

科技视界
2012年 第32期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部