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Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET
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摘要
目前,VishayIntertechnology,Inc,(NYSE)宣布,推出新款通过AEC—Q101认证的40VN沟道TrenchFET功率MOSFEp—SQM200N04-1mlL。该器件特别针对“重型”汽车应用,是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。
出处
《电子设计工程》
2013年第1期102-102,共1页
Electronic Design Engineering
关键词
功率MOSFET
N沟道
AEC
认证
汽车应用
电流等级
Inc
低电阻
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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0
1
Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族[J]
.电子设计工程,2013,21(12):163-163.
2
通过AEC-Q101认证的40V N沟道功率MOSFET[J]
.今日电子,2013(1):67-67.
3
600V标准整流器[J]
.今日电子,2013(1):70-70.
4
NCV840x:自保护低端MOSFET驱动IC[J]
.世界电子元器件,2010(2):41-41.
5
TCPT1300X01/TCUT1300X01:光电传感器[J]
.世界电子元器件,2009(9):45-45.
6
Vishay发布具有ESD功能和低外形SlimSMA^(TM)封装的新款600V标准整流器[J]
.电子设计工程,2012,20(24):174-174.
7
新的功率MOSFET器件[J]
.电子设计工程,2011,19(6):68-68.
8
Vishay发布采用ThunderFET~技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET[J]
.电子设计工程,2014,22(6):53-53.
9
Vishay SiliconiX推出业内导通电阻最低的MOSFET器件[J]
.中国集成电路,2010,19(12):10-10.
10
SiP12108:同步降压稳压器[J]
.世界电子元器件,2014(2):29-29.
电子设计工程
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