RF功率对PECVDN备SiN薄膜性能的影响

为了得到Si3N4薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的（100）面上制备了Si3N4薄膜，反应气体是SIH4和氨气的混合气。研究了射频源的输入功率对Si3N4薄膜性能的影响。结果显示：虽然Si3N4薄膜制备功率不一样，但其表面的光滑性和致密性没有差异。除此之外，薄膜表面的粗糙度随功率的增大而减小；薄膜的沉积速率也随功率的增大呈上升趋势；薄膜的腐蚀速率随功率的增大而减少；薄膜的均匀性也随着LF功率的增加而减小。