半导体激光器的发展趋势及最新研制动态

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摘要一、发展概况——历史的回顾及当今的趋向 1970年美国康宁公司将石英光纤的传输损耗从1000dB/km降低到20dB/km;同年,Bell实验室等研究单位相继研制出室温连续振荡的GaAlAs/GaAs双异质结构激光器(DH-LD)。这两项重大的技术突破开辟了光电子技术发展的新纪元。七十年代初期,光纤的低损耗区在0.8～0.9μm范围,与之相应的Ga-

作者张瑞华

机构地区机电部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期8-14,共7页 Semiconductor Technology

关键词半导体激光器激光器发展

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1991年第1期

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