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GTO器件技术的最新发展
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摘要
本文综述了国外近几年来在门极可关断晶闸管(GTO)器件技术方面的最新研究进展和发展方向。系统地介绍了国外为了进一步提高GTO器件的电流、电压容量及实现GTO的高频化而作出的种种努力和由此发展的各种新型GTO结构设计。
作者
吴益良
机构地区
浙江大学电力电子技术研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期10-16,23,共8页
Semiconductor Technology
关键词
GTO器件
晶闸管
电流
电压
容量
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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