硅/硅直接键合界面的AES分析被引量：2

下载PDF

导出

摘要本文应用AES分析的方法,对硅/硅直接键合界面进行了研究,给出了实验结果,并对实验结果进行了分析论证。

作者刘光廷詹娟

机构地区东南大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期24-26,共3页 Semiconductor Technology

基金国家自然科学基金

关键词硅直接键合界面 AES分析外延

参考文献1

1苏云.注入碳离子的Ti表层深度方向组成的AES分析[J].等离子体应用技术快报,1998(12):18-19.
2刘术林,张继胜,张海峰,赵俊.微通道板表面发雾的AES分析[J].应用光学,1993,14(6):25-29. 被引量：2
3陈长勇,廖克俊,王万录.CdIn_2O_4薄膜的AES分析[J].太阳能学报,1995,16(1):93-96. 被引量：1
4肖志松,程国安,张通和.钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1999,35(2):200-203. 被引量：3
5李志国,李静,孙英华,郭伟玲,吉元,程尧海,严永鑫,李学信.Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究[J].微电子学,1996,26(4):226-229. 被引量：3
6李志国,李静,孙英华,吉元,程尧海,严永鑫,李学信.Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究[J].半导体杂志,1995,20(4):21-24.
7柴常春,杨银堂,李跃进,姬慧莲.3C-SiC单晶薄膜的干法刻蚀研究[J].西安电子科技大学学报,2001,28(1):100-104. 被引量：2
8周世平,李龙土,桂治轮,张孝文.钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究[J].硅酸盐学报,1994,22(4):364-369. 被引量：15
9宋忠孝,徐可为,范多旺.溅射Cu膜方式对ZrN扩散阻挡层热稳定性的影响[J].真空科学与技术学报,2004,24(z1):86-88. 被引量：1
10李晋闽,郭里辉,张工力,侯洵.Ag与p-InP的肖特基势垒特性[J].Journal of Semiconductors,1992,13(10):607-613.

半导体技术

1991年第2期

内容加载中请稍等...