CMOS集成电路与栅氧有关的突然失效

本文探讨了CMOS晶体管在静态偏压-温度老化下产生的突然失效。在试验时出现的失效模式是栅和衬底之间发生的短路,以及栅开路。随后失效分析揭示了铝与栅氧之间互相作用是失效机理。最后指出P^+区的缺陷是引起所观察到的失效现象的原因。