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DLC膜作为半导体器件表面钝化膜的研究

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摘要 本文以甲苯为工作气体,采用rfPCVD方法在各种衬底上制备出DLC膜,研究了Al-DLC-Si结构的高频C-V特性,以及作为半导体器件的表面钝化膜的应用。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期32-35,共4页 Semiconductor Technology
基金 机电部机械工业技术发展基金项目 编号:86J7720
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