高电子迁移率晶体管十年被引量：2

下载PDF

导出

摘要本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。

作者张汉三

机构地区机电部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期1-7,共7页 Semiconductor Technology

关键词 HEMT 晶体管

同被引文献4

1彭英才.半导体超晶格物理与器件（14）[J].半导体杂志,1994,19(4):47-52.
2彭英才.半导体超晶格物理与器件（16）[J].半导体杂志,1995,20(2):49-55.
3廖超,来萍,李斌,崔晓英.硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究[J].电子产品可靠性与环境试验,2007,25(6):4-7. 被引量：2
4来萍,何小琦,冯敬东,牛付林,王因生,王志楠,付义珠.脉冲功率器件直流和动态热特性探测[J].电子产品可靠性与环境试验,2002,20(5):1-5. 被引量：2

1王淑君,曹余录,黄常胜,袁明文.Ka波段高电子迁移率晶体管的研制[J].半导体情报,1993,30(6):1-5.
2可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作工艺[J].科技开发动态,2005(3):47-47.
3S.Loualche,李锦标.赝晶Ga_(0.18)In_(0.82)P/InP/Ga_(0.47)In_(0.53)As高电子迁移率晶体管(HEMT)的低温直流特性[J].半导体情报,1991,28(4):34-36.
4科木.高电子迁移率晶体管将加速下一代雷达系统的发展[J].军事电子,1989(3):13-15.
5陈辉,王晓东.GaAs HEMT大信号模型的研究[J].科学咨询,2008(11):66-66.
6何川,孙玉发,贾世红.X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计[J].合肥工业大学学报（自然科学版）,2011,34(10):1510-1513. 被引量：4
7朱旗,王长河.微波GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管[J].电子学报,1989,17(1):110-111. 被引量：1
8徐毓龙,周晓华,蔡式东,徐玉成.高电子迁移率晶体管及其应用[J].物理,1994,23(12):728-733.
9AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管的退化特性[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(1):67-67.
10王冲,郝跃,张进城.AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析[J].西安电子科技大学学报,2005,32(2):234-236. 被引量：7

半导体技术

1991年第4期

内容加载中请稍等...