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结构改进的高压VDMOS功率晶体管

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摘要 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
作者 孔德平 张本袁 王锡祺 潘余健
机构地区 东南大学电子系 宜兴市半导体厂
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期22-24,共3页 Semiconductor Technology
关键词 功率晶体管 晶体管 VOMOS
分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
半导体技术
1991年 第4期

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