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用“阳极氧化法”测量InSb器件的p-n结深度
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摘要
本文就如何利用“阳极氧化法”显示InSb半导体p-n结剖面形貌并测算出结深作一阐述。
作者
宁铎
机构地区
国营七九五厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期61-63,共3页
Semiconductor Technology
关键词
InSb器件
阳极氧化
测量
P-N结
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1991年 第4期
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