硅离子束的沾污及其控制

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摘要本文分析了离子注入法制备n-GaAs薄层材料时Si^+离子束的沾污问题,指出在Bi^+与Si共用的注入机上,^(29)BF^+是^(29)Si离子束的主要沾污物。

作者张伟杨秋荣冯利建

机构地区机电部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期37-39,共3页 Semiconductor Technology

关键词硅离子束沾污控制离子注入

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半导体技术

1991年第5期

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