LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响

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摘要用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。

作者杨瑞霞付濬李光平

机构地区天津河北工学院天津电子材料研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期62-64,61,共4页 Semiconductor Technology

关键词 LECGaAs 材料掺碳测量性能

参考文献1

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半导体技术

1991年第5期

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