关于功率VDMOSFET优化设计中的几个问题

本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。采用整体优化设计方法计算了依据工艺条件给定器件有关参数情况下,两类单元图形VDMOSFET最小比导通电阻与电压的关系。结果表明,线性单元的最小比导通电阻大于峰窝状单元图形,其a/s值也大于后者的值。这两类单元图形的第二个差异或许使采用线性单元图形在有些场合下可降低工艺难度,提高产品等级合格率。文中最后揭示了整体优化设计方法在较低电压器件设计中的重要作用,计算表明这种方法是使比导通电阻达到最小的方法。