硫化物钝化GaAs表面的研究进展

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摘要叙述用硫钝化GaAs表面的研究动态,包括表面处理工艺,已取得的效果及表面钝化的机理,并指出今后的研究内容。

作者许春芳卢学坤

机构地区华东师大复旦大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期12-14,共3页 Semiconductor Technology

关键词 GAAS 硫化物钝化半导体材料

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半导体技术

1991年第5期

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