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激光辐照区表面氮的研究

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摘要 文章使用XPS技术研究激光辐照区,报道了在激光辐照表面有高浓度氮的引入,在比较不同工艺条件对表面氮浓度影响的基础上,运用化学位移理论和谱峰拟合技术,分析了辐照区表面氮的化学状态,结合离子刻蚀方法,研究了辐照区表面氮和硅沿深度方向的浓度分布和价态演变过程,讨论了氮的引入机理和它的扩散行为。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期53-56,共4页 Semiconductor Technology
基金 国家高纯硅及硅烷实验室资助项目
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参考文献1

  • 1姚杰.激光脉冲使硼在硅中扩散[J]中山大学学报(自然科学版),1981(04).

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