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激光辐照区表面氮的研究
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摘要
文章使用XPS技术研究激光辐照区,报道了在激光辐照表面有高浓度氮的引入,在比较不同工艺条件对表面氮浓度影响的基础上,运用化学位移理论和谱峰拟合技术,分析了辐照区表面氮的化学状态,结合离子刻蚀方法,研究了辐照区表面氮和硅沿深度方向的浓度分布和价态演变过程,讨论了氮的引入机理和它的扩散行为。
作者
李刚
汪雷
袁骏
王战
机构地区
浙江大学半导体材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期53-56,共4页
Semiconductor Technology
基金
国家高纯硅及硅烷实验室资助项目
关键词
半导体
激光辐照
氮
掺杂
XPS
硅
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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1
姚杰.激光脉冲使硼在硅中扩散[J]中山大学学报(自然科学版),1981(04).
1
李立本,张锦心,陈修治,阙端麟.
采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究[J]
.浙江大学学报(自然科学版),1990,24(3):339-344.
被引量:2
2
张之翔,李英琴.
氮化硅中氮的测定[J]
.稀有金属材料与工程,1990,19(6):69-71.
3
蒋志平,陆启生,刘泽金.
强激光辐照光电探测器的研究[J]
.应用激光,1994,14(3):109-110.
被引量:15
4
友清.
90年代氮激光泵浦染料激光器的应用展望[J]
.国外激光,1992(1):22-23.
5
杨德仁.
硅材料中氮的性质和研究[J]
.半导体技术,1990,6(4):47-50.
被引量:2
6
梁永林.
湿氮退火改善晶体管表面特性[J]
.江南半导体通讯,1992,20(5):23-27.
7
光电子技术[J]
.中国无线电电子学文摘,2004,0(2):9-33.
8
光电子技术[J]
.中国无线电电子学文摘,2004,0(6):10-36.
9
梁永林.
湿氮退火改善晶体管表面特性——提高小电流下β[J]
.半导体技术,1993,9(4):35-38.
10
义仡.
用一种新氮源制造GaN薄膜[J]
.电子材料快报,1996(1):10-10.
半导体技术
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