超高速GaAs IC研制动态

Developing Trends of Ultra-High Speed GaAs IC

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摘要本文叙述了最近几年国外研制超高速GaAs器件和IC的成果以及开发新技术的状况。 The state of ultra-high speed GaAs devices and IC's and developments of novel technique in recent years are described.

作者戴玲华

机构地区机电部第

出处《半导体情报》 1991年第1期37-46,共10页 Semiconductor Information

关键词半导体器件砷化镓集成电路 Ultra-high speed digital IC Gallium arsenid Semiconductor device

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1991年第1期

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