摘要
在18GHz,AlGaAs/GaAs HBT已得到了显著的功率性能。共发射极HBT达到了48.5%的附加效率、6.2dB相关增益和0.17W的输出功率。共基极工作的HBT在18GHz下显示出更高的性能:功率水平0.358W(3.58W/mm),增益11.4dB,附加效率43%;降低功率水平到0.174W(1.74W/mm),则可得到15.3dB相关功率增益以及40%效率。该性能可与MISFET、HEMT和PBT的报道结果相媲美。
出处
《半导体情报》
1991年第2期18-22,共5页
Semiconductor Information