超低噪声毫米波PHEMT

Ultra-Low-Noise Millimeter-Wave Pseudomorphic HEMTs

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摘要以AlGaAs/InGaAs/GaAs为基础的十分之一微米栅长PHEMT器件在43GHz下提供了最优良的低噪声性能。测量的室温器件噪声系数为1.32dB(噪声温度=103K),相关增益6.7dB,在17K物理温度下,噪声系数为0.36dB(噪声温度=25K),相关增益为6.9dB,这是目前报道的43GHz下GaAs基器件的最低噪声系数。

作者 R.E.Lee 李江

出处《半导体情报》 1991年第4期37-39,36,共4页 Semiconductor Information

关键词半导体器件 PHEMT 低噪声极高频

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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1991年第4期

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