Ge_xSi_(1-x)合金在Si衬底上二维生长的临界厚度

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摘要用分子束外延方法在Si衬底上生长Ge_xSi_(1-x)合金不仅需要赝晶生长,而且还必须是层状生长。要在Si衬底上生长高质量的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,Ge_xSi_(1-x)合金层必须控制在二维生长的临界厚度之内,并选择较低的生长温度。

作者樊永良周国良盛篪俞鸣人

机构地区复旦大学

出处《半导体情报》 1991年第6期32-35,共4页 Semiconductor Information

关键词分子束外延 GESI 二元合金厚度

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半导体情报

1991年第6期

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