Ge在Si上外延中表面再构的作用

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摘要本文综述了表面再构对Ge在Si上生长所起的作用。

作者李哲吟刘惠周

机构地区中山大学物理系

出处《半导体情报》 1991年第6期35-37,共3页 Semiconductor Information

关键词锗硅外延生长表面再构

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半导体情报

1991年第6期

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