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分子束外延δ掺杂研究
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摘要
用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。
作者
张允强
彭正夫
高翔
孙娟
机构地区
南京电子器件所
出处
《半导体情报》
1991年第6期42-44,共3页
Semiconductor Information
关键词
分子带外延
异质结
掺杂
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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被引量:1
半导体情报
1991年 第6期
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