MBE GaAs/GaP(001)外延层的光学和结构性质

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摘要利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张应力作用,这种双轴张应力使其晶格参数和能带结构发生变化。

作者王春艳孔梅影王玉田郑海群曾一平

出处《半导体情报》 1991年第6期64-66,共3页 Semiconductor Information

关键词分子带外延 GaAs/GaP 光学能带

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半导体情报

1991年第6期

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