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高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用
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摘要
叙述了高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用和MBE设备高纯部件的研制。分子束源炉是MBE设备的“心脏”,它和MBE生长材料的质量紧密相关。选用电子束悬浮区域熔炼最佳工艺,我们制成纯度大于5N的钽、钼和钛并加工成棒、片、带、箔、管、丝和异型材制作分子束源炉。实验证明,这种分子束源炉是高质量的。并且进一步说明,从最大限度地降低外采杂质的污染出发对材料选择作精心的研究是很必要的。
作者
张淑芬
机构地区
西北有色金属研究院
出处
《半导体情报》
1991年第6期91-94,共4页
Semiconductor Information
关键词
分子束外延
设备
难熔金属材料
分类号
TN405.984 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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半导体情报
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