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优质GaAs/Si材料的研制
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摘要
用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10^(16)cm^(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm^(-2)。
作者
梁基本
孔梅影
段维新
朱战萍
谢茂海
朱世荣
曾一平
张学渊
机构地区
中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室
出处
《半导体情报》
1991年第6期15-16,共2页
Semiconductor Information
基金
中科院半导体所所长基金
国家自然科学基金
超晶格国家重点实验室资助
关键词
分子束外延
GAAS/SI
异质结
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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半导体情报
1991年 第6期
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