MBE生长的高性能MDAlGaAs/GaAs结构材料被引量：1

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摘要本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀性。用该材料研制栅长0.5μm的HEMT器件,其跨导为200mS/mm,12GHz下的噪声系数达到0.76dB,相关增益6.5dB。

作者彭正夫张允强高翔孙娟黄文裕陈效建刘军

机构地区南京电子器件所

出处《半导体情报》 1991年第6期11-13,共3页 Semiconductor Information

关键词分子束外延异质结 ALGAAS/GAAS

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1991年第6期

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