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半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

Study on Crystal Perfection of Semiconductor Surfaces by SEM Electron Path Patterns
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摘要 本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性. Various GaAs crystal surfaces have been investigated with SEM electron passage patternmethod. Crystallography annotations have been made, and a standard to evaluate the crystalperfection has been defined. The method can be widely used for examining and appraisingthe crystal perfection of semiconductor surfaces.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期23-27,共5页 半导体学报(英文版)
关键词 GAAS晶体 SEM 电子通道像 Electron passage photograph Crystal-band Crystal-surface Crystal perfection GaAs
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