用MPCVD法制备氮化碳薄膜

用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）在硅片和铂基片上生长了氮化碳薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察显示，在硅片上形成了多晶的膜；ＥＣＸ膜能谱分析表明膜中的碳氮比在１．０～２．０之间；Ｘ射线衍射谱表明在硅片和铂片上生长的氮化碳薄膜是由α－Ｃ３Ｎ４和βＣ３Ｎ４晶相组成的，ＸＰＳ形分析表明，薄膜中的Ｃ、Ｎ主要是以共价单键结合的，红外谱中也出现了β－Ｃ３Ｎ４的特征谱线，因此有足够的证据表明。