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用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化 被引量:1

Investigation of Thermal Oxidation of TiSi_2 from Rapid Thermal Annealing by XPS
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摘要 用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了实验结果. Thermal oxidation behaviour of TiSi_2 rapid thermal annealed at temperatures rangingfrom 100℃ to 1000℃ for 20-60 min is investigated by XPS in conjunction with AES,SEM and XRD. When the oxidation temperature or oxidation time is increased, TiSi_2 surfacetransform from a mixed layer consisting of SiO_2 and TiO_2. into SiO_2 A model-oxidationtime can be divided into two stages-is advanced,the experiment results can be explainedsuccessfully.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第10期619-624,共6页 半导体学报(英文版)
关键词 硅化物 热退火 热氧化 硅化钛 XPS Semiconductor Materials Research
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献2

  • 1陈存礼,半导体学报,1988年,9卷,544页
  • 2陈存礼,半导体学报

同被引文献6

引证文献1

二级引证文献2

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