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小面积高效率非晶硅单结太阳能电池

High Efficiency Single Junction a-Si:H Solar Cells with an area of 1.0cm^2
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摘要 本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm^2面积上达到11.19%(AM1.5,100mW/cm^1). This paper reports the new results in improving energy conversion efficiencies of a-Si:Hsolar cells. Owing to introducing an ultrathin contact layer heavily doped between the SnO_2and the p a SiCx:H layers, and utilizing an MIS tunnelling rear contact instead of an MScontact, the conversion efficiency of a-Si:H single junction solar cells has been increased to11.19% on an area of 1.0cm^2 (AM1.5, 100mW/cm^2).
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第10期644-647,共4页 半导体学报(英文版)
关键词 非晶硅 单结 太阳能电池 Solar Cells Efficiency Solar Cells Performance
  • 相关文献

参考文献3

  • 1李海峰,半导体学报,1991年,12卷,9期
  • 2廖显伯,半导体学报,1990年,11卷,479页
  • 3廖显伯,1990年

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