Ge—Au系Ge—Ag系双层膜退火缩聚的分形特性
被引量：1
同被引文献5
-
1张人佶，物理学报，1986年，35卷，366页
-
2张人佶，Chin Phys Lett，1985年，2卷，211页
-
3张人佶，1984年
-
4蔡伟，物理学报，1982年，31卷，1380页
-
5程万荣，物理学报，1982年，31卷，1387页
-
1夏瑞东,陈定钦.“Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析[J].光电子．激光,1995,6(2):88-92.
-
2罗智楷.浅析软交换技术及其在电力企业中的应用[J].中国新通信,2007,9(9):45-48.
-
3刘钢.放大器的Au与三极管β之间关系的探讨[J].生产率系统,1998(4):87-88.
-
4杨玉琪.编辑录像机AG—6500的控制键及其功能[J].四川广播电视技术,1993(1):41-45.
-
5BIRTVPanasonic新品全球首发[J].中国电化教育,2011(9):138-139.
-
6AG-HPX500肩扛式P2HD摄录一体机[J].世界广播电视,2007,21(4):91-91.
-
7杨绪华,孙青.PECVD Sin/SiO_2双层膜的应力特性[J].微电子学与计算机,1989,6(4):9-11.
-
8周业权,王守政.Ag-A1键合失效分析[J].集成电路通讯,2000(1):8-11.
-
9呼兆玉.浅谈MⅡ录像机的常见故障[J].电视字幕．特技与动画,1999,6(1):46-48.
-
10NEC电子与德国Elmos合作开发车载系统芯片[J].天津汽车,2008(10):6-6.
;
