光电子器件制作中的干法腐蚀
-
1袁璟.在3英寸的InP衬底上使用光化学选择性干法凹槽腐蚀高平整度的N-InAlAs/InGaAs HEMT[J].电子器件,1993,16(2):103-106.
-
2曹均凯.干法腐蚀损伤研究[J].半导体光电,1990,11(3):280-285.
-
3袁明文.干法腐蚀[J].半导体情报,1991,28(1):55-64.
-
4张大立,潘宏菽.干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用[J].半导体技术,2004,29(5):75-77.
-
5宋登元.GaN蓝色激光二极管的研究进展[J].激光杂志,1999,20(6):1-3.
-
6邵建新,马宏,郭泓伟.用于LDD和SST的SiO_2边墙干法腐蚀工艺研究[J].微电子学,1993,23(1):19-24.
-
7陈永兴,赵旦,许春芳.干法腐蚀工艺条件对光发射强度的影响[J].微电子学与计算机,1989,6(10):9-11.
-
8徐秋霞,冯淑敏,周锁京.VLSI中双层多晶硅结构的剖面研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(2):117-123.
-
9邹德恕,陈建新,袁颖,董欣,高国,沈光地.SiGe/SiHBT制造中干法、湿法腐蚀技术的研究[J].半导体技术,1997,13(1):26-28. 被引量:1
-
10严剑荫,赵丽新,张仲毅.微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探[J].微电子技术,1995,23(4):22-26.
;