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Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究 被引量：2

A Study on Si_(1-x)Ge_x/Si Multilayer Hetero Epitaxial Structure
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摘要 对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。 A Si1-xGex/Si multilayer hetero epitaxial structure has been investigated. Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED),X-Ray Diffraction(XRD) and Spread Resistance (SR) measurements are made on the structure. Heterojunction bipolar transistors (HBT's )have been developed using this structure. Results of measurements are discussed.
作者 郭林 李开成 张静 刘道广 易强
机构地区 模拟集成电路国家重点实验室 信息产业部电子第二十四研究所
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期217-220,共4页 Microelectronics
关键词 Si1-2Gex/Si 异质外延 异质结双极晶体管 Si1-xGex/Si structure Hetero epitaxy Hetero bipolar transistor (HBT) Molecular beam epitaxy
分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

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  • 5李开成，第四届全国分子束外延学术会议论文集，1999年，117页
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  • 7Li Kaicheng，Proc 5th Int Conf Sol Staand Integrated Circuit Technology，1998年，792页
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共引文献5

同被引文献11

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引证文献2

微电子学
2000年 第4期

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