不掺杂In_2O_3透明导电薄膜的制作

采用反应蒸发技术制作不掺杂 Ｉｎ２Ｏ３透明导电薄膜，薄膜厚度为 １５０～２００ ｎｍ、方块电阻为６０～２００ 、透光率为８０％～９４％（波长６００ ｎｍ）。讨论了蒸发过程氧气充入量和蒸发时间对薄膜的光电特性的影响，说明低蒸发速率和限制氧气流量是获得优质薄膜的关键。