1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究
摘要
给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。
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1张建伟.双层布线工艺研究[J].电子,1991(1):13-19.
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2谢明纲.LSI中的金属化工艺[J].半导体技术,1990,6(4):41-44.
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3李英梦,唐璞山.VLSI中双层布线导孔数的优化算法[J].Journal of Semiconductors,1989,10(1):31-38.
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4杨国渝.双层布线两层铝引线间的导通技术[J].微电子学,1992,22(5):18-23. 被引量：1
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5唐茂林.双层布线的受限通孔最小化问题[J].计算机辅助设计与图形学学报,1994,6(3):192-198.
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6申猛,孔明,吴会利.双层布线技术研究[J].微处理机,2014,35(6):19-21.
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7孔令英.大规模集成电路双层布线中的LTCVDPSG介质[J].半导体技术,1999,24(1):43-45.
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8洪先龙,潘立,王尔乾.VLSI和PCB双层布线中的通孔最少化算法[J].Journal of Semiconductors,1996,17(7):533-539. 被引量：1
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9吴志勇,王芳,翁柏涛,郑誉煌.基于RFID的室内定位系统研究[J].科技创新与应用,2016,6(28):73-73.
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10唐昭焕,王大平,梁涛,李荣强,王斌,任芳,崔伟,谭开洲.双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究[J].微电子学,2012,42(2):266-269. 被引量：2
