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背照式CMOS成像传感测试芯片
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摘要
中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，任低照度下同样获得高质量的清晰图像。
出处
《传感器世界》
2013年第1期49-49,共1页
Sensor World
关键词
中芯国际集成电路制造有限公司
CMOS
传感技术
成像
芯片
测试
突破性
低照度
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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