摘要
在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。
An organic/inorganic heterojunction(OIHJ) has been formed with 200 nm thick PTCDA film prepared by vacuum-deposition on p-Si substrate whose resistivity is 0.2 Ω·cm.Based on its energy band structure,experimantal measurements and analysis are carried out on capacitance-voltage and current-valtage characteristics for OIHJ carriers.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期182-185,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金资助项目! (6 96 76 0 10 )
