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离子注入对纳米氮化硅量子点蓝光增强效应 被引量:3

BLUE-LIGHT ENHANCEMENT EFFECT IN ION IMPLANTED NANO-Si_3N_4 QUANTUM DOTS
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摘要 观察到纳米氮化硅量子点在室温下的蓝光发射现象 (44 9nm) .发现离子注入对蓝光发射有成倍增强效应 (高达 6 .3倍 ) ,并用量子限制 发光中心模型给出解释 .提供了一种新的蓝光发射材料 . Blue light (449?nm) has been observed at room temperature and it has been multiple enhanced (up to 6.3 times) in ion implanted samples. The quantum confinment\|luminence center model can well explain it. A new type of material that can emit blue light has been prepared.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1383-1385,共3页 Acta Physica Sinica
关键词 蓝光增强 离子注入 纳米氮化硅量子点 blue\|light enhancement, ion implantation, nano\|Si\-3N\-4
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献2

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共引文献3

同被引文献31

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引证文献3

二级引证文献6

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