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Gd_3Ga_5O_(12):Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质 被引量:1

PREPARATION AND LUMINESCENT CHARACTERISTICS OF AN OXIDE PHOSPHOR Gd_3Ga_5O_(12):Ag
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摘要 研究了Gd3 Ga5O12 :Ag材料的制备及其发光性质 .Gd3 Ga5O12 :Ag材料通过固相反应法制得 ,采用X射线衍射法分析了材料的结晶度及成分 .用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件 ,得到了较好的蓝紫色发光 ,发光峰分别位于 397和 46 7nm .通过对材料的光致发光和激发光谱的研究和比较 ,得出 397和 46 7nm分别来自于氧空位和Ag+ 的发光 . A composite oxide material Gd 3 Ga 5 O 12 :Ag was prepared by solid state reaction. The composition and the crystallinity of phosphor were determined by X\|ray diffraction. The thin film electroluminescence (EL) devices based on Gd 3 Ga 5 O 12 :Ag were prepared by electron beam evaporation. We have obtained a good UV\|blue EL emission with a peak at 397?nm and a shoulder at 467?nm. The EL peaks located at 397 and 467?nm are found to originate from the oxide vacancies and 4d\+95s\+0 to 4d 10 of Ag\++, respectively.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1390-1393,共4页 Acta Physica Sinica
基金 高等学校博士学科点专项科研基金! (批准号 :970 0 0 40 1) 国家高技术研究发展计划! (批准号 :715 0 0 82 ) 国家自然科学基金! (
关键词 Gd3Ga5O12:Ag 电致发光 光致发光 薄膜 半导体 Gd 3 Ga 5 O 12 :Ag, electroluminescence, photoluminescence
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Xu X L,Abstract 5th IUMRS International Conferenceon Advanced Materials,1999年,702页
  • 2Tong W,Appl Phys Lett,1999年,74卷,1379页
  • 3许秀来,Chin Phys Lett,1999年,16卷,387页
  • 4Xin Y B,J Appl Phys,1999年,85卷,3999页
  • 5Wang J,Science,1998年,279卷,1712页
  • 6Sun S S,SID’97ConferenceRecord(SID ,SantaAna,1997年,301页
  • 7Ouyang X,J Appl Phys,1996年,79卷,3999页

同被引文献9

引证文献1

二级引证文献2

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