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ICP-AES测定金属硅中的硼 被引量:2

Determination of B impurity in Silicon Metal by ICP-AES
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摘要 本文以氢氟酸和硝酸在聚四氟乙烯容量瓶中直接溶解样品,最大限度避免元素挥发损失。电感耦合等离子体发射光谱仪,测定金属硅中的杂质元素硼。运用了干扰元素校正程序IEC,替代基体匹配法,消除元素干扰,方便快捷,可操作性更强。实验结果表明,回收率为96%-104%,相对标准偏差(RSD)(n=11):2.09% Established a method that determined of B in 5ihcon Metal by ICP-AES.Samples were resolved by HF-HNO3 in plastic bottle,maximum of efficiency to avoid element loss,application IEC to eliminate interference element.Retrieve rate in the rang of 96%-104%,RSD(n=11):2.09.The method operate easy,analysis fast,exact result.
作者 卞大勇
出处 《天津化工》 CAS 2013年第1期41-42,共2页 Tianjin Chemical Industry
关键词 ICP-AES 金属硅 元素干扰校正程序IEC ICP-AES Silicon Metal B Interference Element Correetion(IEC)
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