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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET~功率MOSFET

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摘要 VishayIntertechnology，Ine．宣布，推出新款8V和20VN沟道和P沟道TrenehFET功率MOSFETSi8424CDB、Si8425DB这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1×1×0．55mm和1．6×1．6×0.6m的CSPMICROFOOT封装。

出处《电子设计工程》 2013年第3期173-173,共1页 Electronic Design Engineering

关键词功率MOSFET 低导通电阻 P沟道 N沟道封装

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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电子设计工程

2013年第3期

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